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Two terminals of the IGBT: Collector and emitter are directly connected to metal coating but the Gate terminal is not connected to the device. An insulating layer of Silicon Dioxide is embedded between the gate terminal and the metal. The presence of a Silicon Dioxide insulating layer builds a capacitance denoted by C. Injecting layer: The layer closest to the collector terminal is called the P + drain or injection layer. We can say that a P + layer is added to a Power MOSFET to design an IGBT Transistor. The P + injection layer, N - drift region, and P-type emitter form the PNP transistor. The N - drift region, P-type substrate from the body region, and N + emitter form the NPN transistor. The gate terminal of the IGBT is connected to the emitter terminal through a battery. The emitter terminal is connected to the negative of the battery and the gate terminal is connected to the positive. The voltage drop across the emitter and gate terminal is known as V V GE . Jorge messi.Bettilt. Leon Bet.
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