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IGBT Modules. Internal circuit diagram. Data Sheets. Controls the biasing of the IGBT. Fairchild Semi-conductors have a list of high voltage IGBTs under the FGAxxN120 series. Similar to MOSFET in IGBT also the gate pin has to be trigger with the minimum gate voltage to close the switch. Here in FGA15N120 the minimum gate saturation voltage is 4.5V but normally 5V is used in designs, the required gate trigger voltage can be calculated using the collector emitter voltage and collector current that has to be switched, using the graph in the datasheet as shown below. 下面就让我们对这款IGBT芯片的电气参数有个大概的了解吧。该芯片在 100°C 时可以通过 117.5A 的直流电流。从图4可以看出，模块内部单个IGBT器件一共包含12个IGBT芯片，所以总电流为：117.5*12=1412A，与IGBT模块手册中的1400A额定电流基本一致. 为了保证IGBT芯片之间的均流效果，在每个芯片的栅极内部集成了一个11.5Ω的电阻。同时，考虑到DBC之间的均流，每个DBC上的两个芯片对外共用一个栅极电阻，如图10所示，用万用表测量时，阻值约为4.13Ω。可以结合图9计算一下，看是否与IGBT模块手册中的1.6Ω一致。当然，更详细的IGBT芯片参数可以参考官方手册。 IGBT 在单个器件中结合了具有MOS 结构的控制输入和用作输出开关的双极功率晶体管。IGBT 适用于高电压、高电流应用。它们旨在以低功率输入驱动高功率应用。 9. IGBT 的三个端子是什么，它们的作用是什么？ 14、IGBT的结构是怎样的？ 电源及电气隔离.
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