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Thyristors are less applicable to variable speed drives, where the frequency may change dynamically. IGBTs, on the other hand, typically have smaller chip sizes compared to thyristors. The smaller chip size is advantageous for several reasons, including improved thermal management, higher switching speeds, and easier integration into compact electronic systems. To achieve higher power ratings, IGBTs are often paralleled in a package. Multiple smaller IGBT chips can be connected in parallel to increase the overall current-carrying capability and power handling capacity. Control Method. Thyristors generally have slower switching speeds compared to IGBTs. The turn-on and turn-off times of thyristors are relatively longer due to the need for carrier recombination and removal during switching transitions. The process of removing the excess charge carriers and transitioning between conducting and blocking states takes a relatively longer time. As a result, thyristors are better suited for applications where slower switching speeds are acceptable, such as in power transmission systems and industrial motor control. IGBTs generally have lower power dissipation compared to thyristors. The conduction losses in IGBTs are relatively lower due to their lower on-state voltage drop when conducting current. Additionally, IGBTs exhibit lower turn-off losses compared to thyristors, resulting in reduced power dissipation during the switching process.
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