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The IGBT cannot conduct current in the reverse direction (from emitter to collector) even with a positive Vge applied to it, because it has a bipolar-type structure. This is unlike a power MOSFET, which is a unipolar device and hence can conduct bi-directional current, in either direction (drain to source or source to drain), as long as the Vgs > Vgsth is applied?. In addition, power MOSFETs almost always has an intrinsic diode built into their structure from source to drain, which provides a natural path for reverse current flow. Porta-treco de sacola sorteio para ganhar dinheiro de papel. Therefore, in most applications where the load is inductive in nature and there is a requirement to conduct current in the reverse direction (from emitter to collector), a fast recovery diode is connected in anti-parallel with the IGBT (with its anode at the emitter and cathode at the collector). This ensures there is a path available for the reverse current flow. However, the gate has no control over this reverse current flow; it is simply the forward biasing of the diode that allows it. Modern trench gate depletion stop-type IGBTs have excellent noise immunity (in terms of being able to withstand capability to a high dv/dt event at the collector) and work well with 0 to +15 V gate drive signals (V GE = 0 V ensures device turn off and hold off). Furthermore, many modern day gate drivers have relatively low-output impedance and help tie the gate tightly to the emitter when the device is in the off state. As a result, in many applications, such as appliance motor drives, there is essentially no requirement for a negative gate-emitter voltage to be applied to turn-off or hold-off the IGBT. However, in some industrial applications, where the environment is relatively noisier, it may become necessary to provide a negative gate-emitter voltage (applied V GE voltage swing is -5 to +15 V for example). Online milionário login.Top Dollar Premium 3r1l5c 1836$ 90set Canoas.
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