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O dispositivo transistor bipolar de porta isolada (IGTB) é um tipo de dispositivo semicondutor de potência de três terminais que é basicamente usado como chave eletrônica e também é conhecido por fornecer uma combinação de comutação extremamente rápida e alta eficiência nos dispositivos mais novos. No caso de os amplificadores usarem transistor bipolar de porta isolada, muitas vezes sintetizam formas de onda que são complexas por natureza, juntamente com filtros passa-baixa e modulação de largura de pulso, pois o transistor bipolar de porta isolada é basicamente projetado para ligar e desligar em um ritmo rápido e rápido. Um único dispositivo é feito pelo IGBT combinando o transistor de potência bipolar que atua como uma chave e uma porta isolada FET que atua como a entrada de controle. Os dispositivos de primeira geração que foram inventados e lançados na década de 1980 e nos primeiros anos da década de 1990 tiveram um processo de comutação relativamente lento e estão sujeitos a falhas por meio de diferentes modos, como latchup (em que o dispositivo continuará a ser ligado e não ligado desligado até que a corrente continue fluindo através do dispositivo), e colapso secundário (onde quando uma alta corrente flui através do dispositivo, um ponto de acesso localizado presente no dispositivo entra em fuga térmica e como resultado queima o dispositivo). Os dispositivos de segunda e terceira geração consistem em classificações de pulso extremamente altas, o que os torna muito úteis para gerar grandes pulsos de potência em diversas áreas como física de plasma e partículas. “como transformar um inversor de onda senoidal modificado em um inversor de onda senoidal pura ” Desde 1948, os transistores são usados em eletrônica. Originalmente feitos com germânio, os transistores modernos usam silício por sua maior tolerância ao calor. Os transistores amplificam e trocam sinais. Eles podem ser analógicos ou digitais. Atualmente, dois transistores predominantes incluem Transistores de Efeito de Campo Semicondutor de Metal (MOSFET) e Transistores de Junção Bipolar (BJT). O MOSFET oferece uma série de vantagens em relação ao BJT.
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