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Because the diode reverse breakdown before the over-voltage caused damage to the MOSFET, the high current directly to the ground, thus avoiding burning out the MOSFET. As a new type of electronic semiconductor device, IGBT has the characteristics of high input impedance, low power consumption for voltage control, simple control circuit, high voltage resistance, and high current withstand, etc. It is widely used in various electronic circuits. The body diode inside the IGBT is not parasitic but is specially set to protect the fragile reverse withstand voltage of the IGBT. It is also known as FWD (Freewheeling Diode). The internal structure of MOSFET and IGBT is shown in the figure below. IGBT ideal equivalent circuit. MOSFET and IGBT application characteristics. Finally, if the electronic components need to carry out high-speed switching action, MOSFETs have an absolute advantage, mainly because of the integration of BJT of the IGBT. BJT itself has a charge storage time problem, that is, in the OFF time, it takes a longer time, resulting in high-speed switching action can not be carried out. Identification of damped NPN type IGBT and N-channel enhanced MOMS tube: The damped NPN type IGBT and N-channel enhanced MOMS tube have the same gate position. Mc aposta.Their journey takes them through Europe where they find the perfect cover: a traveling circus, which they reinvent -- Madagascar style.
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