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Os dispositivos de primeira geração que foram inventados e lançados na década de 1980 e no início da década de 90 tiveram um processo de comutação lento e estavam propensos a falhas por diferentes modos, como trava (onde o o dispositivo permanecerá ligado e não será ligado.) desligado até que a corrente continue a fluir através do dispositivo) e uma interrupção secundária (onde quando alta corrente flui através do dispositivo, um ponto de acesso localizado presente no dispositivo entra em vazamento de calor e queima o dispositivo como resultado). Novos mosfets competem com IGBTs. Os dispositivos de segunda e terceira geração consistem em uma classificação de pulso extremamente alta que os torna muito úteis para gerar pulsos de alta potência em várias áreas, como a física de plasma e partículas. Portanto, os dispositivos de segunda e terceira geração substituíram amplamente todos os dispositivos mais antigos, como gatilhos de faíscas e tirtrons usados nessas áreas da física de plasma e partículas. Os transistores bipolares de porta isolada estão disponíveis a um preço acessível e, portanto, atuam como um importante facilitador para carros híbridos e veículos elétricos. Nota: Este foi traduzido do Inglês para português (auto) Olá, se tiver algum erro de tradução (AUTO), falta de link para download etc… Status (Não Revisado) Aprenda sobre o transistor Darlington e IGBT. Regulamentação criptomoedas brasil.PEDRA NATURAL. TIPO DE PEDRA.
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