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Vid Kristallen quanto eu ganho sendo cambistas aposta esportiva 2015 och 2018 blev Idol utsedd till Årets underhållningsprogram . 宏微科技研究报告：IGBT领军企业，新能源业务有望快速提升. 公司采用 Fabless 经营模式，主要晶圆代工厂包括华虹、积塔等 。公司采用 Fabless模式生产，即芯片由公司自主设计并委托晶圆代工厂生产。根据 2022 年 5 月披露 的投资者关系活动记录显示，目前公司的 IGBT 芯片主要由华虹、积塔负责代工， FRED 芯片主要由华润华晶负责代工。芯片生产测试完成后，模块产品由公司自行 封装测试，单管产品委外进行封装测试，主要封测代工厂包括天水华天、南通华达 微、无锡德力芯等。 再次实行股权激励吸引优秀人才，高业绩考核目标彰显未来发展信心 。 核心技术人员具备丰富的功率产业背景，承担 85/95/02 专项等多项国家研究课题 。除董事长赵善麒先生外，其他核心技术人员也具有丰富的功率半导体从业经验，曾 在英飞凌、安森美、中国电子科技集团、华虹 NEC 等业内知名公司担任核心技术人 员，多次承担国家 85、95 重点科技攻关项目、02 科技专项，担任全国半导体器件 标准化技术委员会委员，参与制定多项国家技术标准，具有多项技术发明专利。（报告来源：未来智库） 73%。 下游需求旺盛，产能供不应求，为保障产能供应，增加购买原材料现金支出。 2021 年公司经营活动现金流量净额为-7407 万元，主要是功率半导体高景气，下游需求 旺盛，产能供应紧张，公司为生产和经营需要，购买原材料支付的现金增加以及公 司日常经营活动开支增加所致。2021 年末公司预付账款 3014 万元，较 2021 年三季 度末的 1068 万元，增加 182%。 2.1. 新能源带来功率半导体高景气，2021-2025 年复合增速高达 20% IGBT 主要应用在新能源汽车、新能源发电、工业、轨交、电网、家电等领域 。由 于 IGBT 主要起到逆变、整流、变频、斩波等作用，适用的电压等级较高，主要应 用在汽车、光伏、储能、风电、轨交、电网、工业、家电等领域。根据 Yole 统计， 2020 年 IGBT 下游应用占比为工控 31%、家电 24%、新能源汽车 9%、电网 1%、轨 交 6%、光伏 4%、其他 24%，预计 2026 年新能源汽车占比将提高 11pct 至 20%。 电动化带动 EV 用功率半导体 ASP 大幅提升，达 330 美元是传统燃油车的 4.6 倍 。 以电力系统作为动力源的新能源汽车，对电子元器件功率管理，功率转换能力提出 了更高的要求。在传统汽车中，功率半导体主要应用于车辆启动，发电和安全领域， 低压低功率电子元器件即可满足其工作需求。而在新能源汽车中，电池输出的高电 压需要进行频繁的电压变换，电流逆变，这些电路大幅提高了汽车对 IGBT、MOSFET等功率半导体的需求。根据英飞凌数据，传统燃油车中，功率半导体含量为 71 美 元，全插混/纯电池电动车中，功率半导体价值量为 330 美元，是传统燃油车的 4.6 倍。 预计 2025 年全球新能源汽车用 IGBT 市场规模将达 64 亿美元，CAGR 为 36% 。据 Marklines 数据显示，2021 年全球汽车销量为 7919 万辆，剔除 2020 年疫情年份，过 去 8 年的复合增速为 2%左右，假设按照此增速增长，预计 2025 年全球汽车销量将达 到 8610 万辆，2021 年全球新能源汽车销量约 650 万辆，渗透率为 8.2%，我们预计到 2025 年全球新能源汽车渗透率有望达到 25%左右，对应全球新能源汽车销量约为 2150 万辆。根据英飞凌数据，目前新能源汽车功率半导体和 IGBT 的单车价值分别为 330 美元和 273 美元，考虑到当前全球功率半导体产能供不应求，预计短期内新能源汽车 功率半导体价格仍将保持在较高水平，且未来单车价值将随着单车带电量增加以及双 电机渗透率的提升而逐步增加，我们预计 2022-2025 年新能源汽车用的功率半导体和 IGBT 的单车价值将每年 1%的增速增加，则据此测算，预计 2025 年全球新能源汽车 功率半导体市场规模将达到 78 亿美元，2025 年全球新能源汽车用 IGBT 市场规模将 达到 64 亿美元，2021-2025 年复合增速为 36%。 预计 2025 年中国车用充电桩 IGBT 市场空间将达 120 亿元，复合增速为 78 万元/台。按 IGBT 在充电桩中成本占比约 20％测算，预计 2025 年国内 充电桩用 IGBT 市场规模将达到 120 亿元，年复合增速为 42%。 2.2. IGBT 交期进一步拉长，加速国产替代. IGBT 紧张加剧，供应链自主可控，加速国产替代 。据富昌电子公布的交期数据， 21Q3 起，海外大厂均出现 IGBT 交期拉长趋势，从之前平均的 26-30 周拉长至 22Q2 的 40-52 周，而常态下 IGBT 的交货周期仅为 8-12 周。2022 年以来，由于供应链短 缺且短期内看不到复苏迹象，国际功率巨头纷纷提价。2 月 14 日英 飞凌给下游各分销商发布通知函，表示由于市场供不应求及上游成本增加，英飞凌 无力承担溢出的成本，暗示或将涨价。ST 意法半导体 3 月 24 日发布涨价函，将于 22Q2 开始对所有产品线进行提价，包括现有订单。海外厂商交期拉长，缺芯涨价， 无疑给国内 IGBT 加速国产替代提供了难得的机遇。另一方面，近年来贸易摩擦增 加，下游厂商出于供应链安全可控的需要，也为国产替代加速提供了有利契机。 IGBT 产品生命周期长，更新迭代慢，便于国内厂商后来追赶，国产替代 未来可期。1）更新换代频率低 。自 1988 年英飞凌推出初代 IGBT 以来， 经过 30 年左右的发展，目前一共有 7 代 IGBT 产品，其中第 1-2 代 IGBT 是平面栅结构，第 3-6 代 IGBT 是沟槽栅结构，第 7 代 IGBT 是微沟槽结 构。2） 产品生命周期长 。虽然如此，并不是新一代 IGBT 产品推出后就会 全部取代上一代产品，在许多应用中不少老款 IGBT 仍是行业主流。比如 IGBT3 在高压领域依然占据主导地位，3300V，4500V，6500V 的主流产品 仍然使用 IGBT3 技术；IGBT4 是目前使用最广泛的 IGBT 芯片，在电压包 含 600V，1200V，1700V，电流从 10A 到 3600A 的各种应用中都可见到 IGBT4 的身影。3 ）国内 IGBT 企业加速追赶，国产替代未来可期。 国内 IGBT 企业从最初的平面型 IGBT，到沟槽型 IGBT，再到微沟槽 IGBT，目 前已实现第 7 代 IGBT 的批量供货，随着国内企业的技术进步，IGBT 国产替代未来可期。 3.1. 进入新能源汽车/发电头部客户，产品结构快速升级. 公司新能源汽车、光伏、工控类收入占比逐年提升，打开第二成长曲线 。2018/2019/2020 年公司新能源、工业类(变频器、逆变电焊机、UPS 电源等)收入占比分别为 96.1%、 97.1%、97.3%，剩余收入来自于变频白色家电、新能源大巴汽车空调电源模组等。 随着公司技术的进步，下游结构优化，叠加新能源汽车渗透率提升、新能源发电新 增装机量快速增长，公司在新能源车主电控、充电桩、光伏逆变等领域快速突破， 打开第二成长曲线。根据公司披露投资者关系活动记录表显示，2021 年公司光伏收入 占比已超过 10%，预计在新能源高景气与国产替代加速背景下，新能源类收入占比有 望继续提升。 大客户订单背书，助力公司在新能源领域快速突破 。目前，以华为、阳光电源为主的 国内厂商在光伏逆变器市场持续突破，根据 WoodMackenzie 统计，2020 年，华为在 全球逆变器市场的份额达达到 23%，市占率位列全球第一，阳光电源在全球逆变器 市场的份额达到 19%，市占率位列全球第二。国内光伏逆变器厂商的快速发展和突 出的市场地位也为国产 IGBT 替代带来了显著的区位优势和协同效应。2019、2020 年公司在新能源行业实现营业收入 1751 万元、1867 万元，其中电源模组及模块的占比 分别为 97.2%、89.7%。公司现已成为客户 A 光伏逆变器的的供应商之一。2020 年 2 月，公司与客户 A 签订了《关于光伏 IGBT 产品的合作协议》，合同期限至 2025 年 12 月 31 日。经过较长时间的技术开发与多维度可靠性验证，公司相关产品质量技术 指标达到客户要求。（报告来源：未来智库） 规 模效应助力期间费用率降低，带动净利率提升 。我们继续对净利率的来源毛利率、 期间费用率进行对比分析，1）宏微科技的期间费用率下降明显，从 2017 年的 22% 降至 2021 年的 13%，但对标可比公司期间费用率仍有下降空间，2021 年 S 公司的期 间费用率为 11%，X/D 公司的期间费用率为 7%/5 亿元。我们认为随着公司未来收入规模的快速增长，规模效应将更加明显，期间费用 率将进一步降低，带动净利率提升。 4. 高强度研发投入，技术性能接近国际龙头水平. 9%，高于同业可比公司，2021 年 X/D/S 的研发费用率分别为 5.3%/5.3%/6.5%。 公司 IGBT 和 FRD 自研芯片持续升级，正在研发对标国际龙头最新一代芯片 。IGBT 芯片方面，公司于 2017 年推出了自研第三代 IGBT 产品，对标行业龙头企业英飞凌 2010年推出的市场主流的第四代IGBT 4系列，2019年成功开发了自研的第四代750V IGBT 芯片，对标英飞凌于 2016 年推出的车用 IGBT EDT2 产品，对标英飞凌于 2020 年推出的 IGBT 7 系列的自研 IGBT 芯片正在研发制样中。FRD 芯片方面，公司于 2019 年度推出了 FRED M5d 系列，对标英飞凌 2010 年推出的 Emcon 4 产品，公司 对标英飞凌于 2020 年推出的 Emcon 7 系列的 FRED M7d 系列芯片产品正在研发制 样中。（报告来源：未来智库） 宏微 IGBT M3 芯片与英飞凌市场主流芯片在关键参数方面指标相近 。公司于 2017 年开始推出并实现量产的宏微第三代 IGBT M3i 1200V 系列电流覆盖 10A 到 200A， 选取其中典型的 50A 和英飞凌于 2010 年推出的市场主流的英飞凌 T4 同规格产品关 键参数做横向对比，通过对比可以发现，公司的芯片关键参数中的击穿耐压、短路极 限时间方面基本相同，在芯片损耗、电流密度等重要指标方面与英飞凌芯片指标相接 近。 公司于 2021 年初研发成功了第五代 M5i IGBT 芯片对标英飞凌第五代 IGBT 系 列，对其主要技术参数进行横向对比可以看到，公司的产品在击穿耐压与英飞凌产品 基本相同，在芯片损耗、电流密度等方面与英飞凌产品相接近。2021 年公司成功推 出第五代微沟槽结构的 M5i 650V 和 1200V 快速系列 IGBT 单管产品，性能可对标 业界最先进水平，相比上一代整体性能提升约 15%，丰富了公司在光伏领域的产品 组合，目前该系列产品已完成客户端的验证导入，并实现批量交付。公司的第七代 M7i IGBT 芯片对标英飞凌 IGBT7 T7 系列,已完成芯片设计正在研发制样中。第七代 微沟槽 M7i IGBT 已完成芯片技术平台的开发和验证，同等规格的芯片性能可对标 业界最先进的英飞凌 IGBT7 T7 系列产品，对应的成品也已获得客户验证并正在进 行系列化的拓展和生产。 公司第六代 M6d FRD 芯片已完成技术平台的验证，相比上一代性能提升的同时,其 鲁棒性更高，可靠性更好。目前正在系列化的导入、拓展和批量交付。第七代 M7d FRD 芯片配合 M7i IGBT 芯片的开发已完成配套的研发制样，整体性能接近于业界 先进水平。 碳化硅方面，2021 年公司完成乘用电动车电控用 SiC 模块及封装技术的预研和样品 制作，定制化车乘用电动车电控用 SiC 模块开发进度加快，完成样品的交付。完成 3 款定制化用于新能源领域的 SiC MOS 模块产品的开发，通过客户验证，产品逐步上量交付。 18 亿元，同比增长 60%。 29/6.23/6.70 亿元，分别同比增长 122%/89%/8%，主要系下游新能源汽车、新能源发电行业高景气，以及国产替代 加速，带动 IGBT 需求高增，且近两年光伏需求增长较快，且用多个组串式逆变 器并联替代集中式逆变器的趋势加速，而组串式逆变器对 IGBT 单管的需求较多。 77/12.98/17.06/1.60/2.69%/51.63%/47.86%，对应 PE 为 101/67/45 倍。 Coloque um som pesado no trabalho. 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