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Read the graph vertically. A positive current/temperature coefficient means more current over temperature. âMOSFET and IGBT structures look very similar, but there is one basic difference—the addition of a p-substrate beneath the n-substrate in the IGBT (Fig. 1) . When both device types are tested in hard-switching applications, measurements show that the MOSFETs exhibit lower losses (Fig. 3). In this particular scenario, the IGBT appears to be the device of choice. Under average or typical conditions, a MOSFET provides the longest battery life while meeting all peak-performance lev els—and usually at a lower cost. Explore more information: Publication number CN102035191A CN102035191A CN2010106088997A CN201010608899A CN102035191A CN 102035191 A CN102035191 A CN 102035191A CN 2010106088997 A CN2010106088997 A CN 2010106088997A CN 201010608899 A CN201010608899 A CN 201010608899A CN 102035191 A CN102035191 A CN 102035191A Authority CN China Prior art keywords temperature termination another termination igbt output Prior art date 2010-12-28 Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.) Granted Application number CN2010106088997A Other languages Chinese ( zh ) Other versions CN102035191B ( en Inventor 蔡旸正 Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Lol blaber.🎁 Bônus livre das rotações.
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