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Vantagens: Um deles é o MCT (Tiristor controlado por porta MOS) cuja estrutura e símbolos são mostrados na figura 13. O que vimos neste artigo são alguns exemplos de novos componentes que começam a ser utilizados e alguns ainda em fase de desenvolvimento mas que certamente serão comuns nos equipamentos dos próximos anos. 1 Answer 1. This paper examines the practical challenges of simplified setups aimed at achieving high-power IGBTs’ I C – V CE curve. The slope of this I–V curve (which is defined as on-resistance R CE ) and the point where the V CE – V GE curve visibly bends (threshold gate voltage) can be suitable failure precursor parameters to determine an IGBT’s health condition. A simplified/affordable design for these specific measurements can be used for in-situ condition monitoring or field testing of switching devices. First, the possible I–V curve measurement methods are discussed in detail in order to prevent self-heating. The selected design includes two IGBTs in which the high-side IGBT was the device under test (DUT) with a constant gate voltage ( V GE ) of 15 V. Then, the low-side IGBT was switched by a short pulse (50 μs) to impose a high-current pulse on the DUT. The V CE – V GE curve was also extracted as an important failure-precursor indicator. In the next stage, a power-cycling test was performed, and the impact of degradation on the IGBT was analyzed by these measurement methods. The results show that after 18,000 thermal cycles, a visible shift in I–V curve can be seen. The internal resistance increased by 13%, while the initial collector-emitter voltage and voltage at the knee point in the V CE – V GE curve slightly changed.

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