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Um deles é o MCT (Tiristor controlado por porta MOS) cuja estrutura e símbolos são mostrados na figura 13. 1 Answer 1. The priority here is to design the circuit as simple as possible and to perform this measurement technique with minimal laboratory equipment. When the IGBT under test is placed at the low side, the gate voltage of the IGBT can directly be supplied from a voltage source, but the auxiliary switch must be controlled by an isolated/floating voltage pulse. This means that a floating DC source is needed to supply the driver gate, which in turn can complicate the system. Figure 2 represents the way how to connect the floated ground with the respective points in the circuit. Therefore, it is recommended that the IGBT under test is placed at the high side, and the auxiliary switch can be switched directly by a simple low-side gate driver or a high-current pulse generator (e.g., IXDI630CI-ND). In this case, the gate voltage of the DUT is supplied by an isolated DC/DC converter chip (CUI Inc. PQS075-S), which can offer an isolation level of 1.5 kV. The output voltage provided by this converter is internally regulated so that it always keeps the output voltage for supplying the gate constant at 15 volts. Casa de aposta eleição.1. Descompacte todas as partes com WinRar; 5.
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